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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华南地区某LED本质片加工制造公司,因加工制造时候中施用砷化镓、酸洗铟等III-V族化学物质,废水里含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等高价属,装修设计办理数量1200吨/日。 电镀废水组成成分及源头 MOCVD机清洁废污水 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等有机酸废金属类化合物 切割机抛光废液 :含纳米技术级黑色金属科粒 主轴电镀污水 :含铜、镍等彩石正离子 外理生产技术步骤 改革创新用到"空气氧化破络+血本属捕集器+膜拆分"结构新工艺: 预处置单位 :加药氢氧化钙可分解有机会重金属络合物 重点处置机组 : 使用的DTCR天价属捕集器剂导致不可溶性螯合物 反渗透膜整体(UF)挤占大分子污染破坏物 反侵入(RO)脱盐率>98% 淤泥加工单元尺寸 :离心分离脱水净化处理后交给危废净化处理净化处理主处里 终于视觉效果 经第几方面方检则: 总砷占比:0.05mg/L(执行标准0.5mg/L) 镉的含量:0.01mg/L(国家标准0.1mg/L) 水使用率:75% 程序运行直接费用:3.8元/吨水

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